CNR Institutional Research Information System

RBS channeling analysis of ion irradiation effects in heavily doped Si:As

G Fortunato;LMariucci
2006
2006
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/76013
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