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Silicon Carbide thin films deposited with PVD techniques with a stoichiometry Si:C close to 1:1

MG Pelizzo;
2009
2009
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/80093
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