CNR Institutional Research Information System

In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors

Pettinari G;Salviati G;Lazzarini L;Armani N;Mariucci L
2006
2006
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
28th International conference on the Physics of Semiconductors
Sì, ma tipo non specificato
Wien (A)
15
none
Felici, M; Polimeni, A; Masia, F; Trotta, R; Pettinari, G; Capizzi, M; Salviati, G; Lazzarini, L; Armani, N; Piccin, M; Bais, G; Martelli, F; Rubini, ...espandi
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/81983
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