Molecular Beam Epitaxy of InN, GaN, and AlN on SiC: Effect of Nitride/SiC Interface on Material properties

M Losurdo;G Bruno
2006

2006
Istituto di Nanotecnologia - NANOTEC
Int. Conf. On Blue lasers and Light emitting diodes-ISBLLED
Montpelier, France. May 15-19
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
T.H. Kim; S. Choi; P. Wu; A. Brown; M. Losurdo; G. Bruno;
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
2
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/88360
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact