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Effects of growth interruption on the morphology and optical properties of InAs quantum dots embedded in InGaAS matrix and grown by molecular beam epitaxy

G Leo;
2003
2003
Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati - ISMN
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/89751
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