CNR Institutional Research Information System

Rutherford backscattering-channeling analysis of heavily doped Si:As irradiated with MeV Si+ ions

2003
2003
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/97927
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