Rutherford backscattering-channeling analysis of heavily doped Si:As irradiated with MeV Si+ ions

2003

2003
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
XVI International Conference on Ion Beam Analysis
Albuquerque NM (USA)
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Lulli, G; Bianconi, M; Albertazzi, E; Ferri, M
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
4
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