Esposito, Fiorenza
Esposito, Fiorenza
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Edge Engineering in MoS2 by Chemically Induced Nano-Folding
2025 Chini, E.; Esposito, F.; Benekou, V.; Muhyuddin, M.; Lunedei, E.; Ruani, G.; Rizzoli, R.; Calabrese Sivieri, G.; Liscio, F.; Corticelli, F.; Seravalli, L.; D'Angelo, P.; Palermo, V.; Santoro, C.; Candini, A.; Gentili, D.; Cavallini, M.
Impact of the Schottky Barrier and Contact‐Induced Strain Variations inside the Channel on the Electrical Behavior of Monolayer MoS2 Transistors
2025 Panasci, Salvatore Ethan; Schiliro, Emanuela; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Vivona, Marilena; Di Franco, Salvatore; Roccaforte, Fabrizio; Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Pis, Igor; Bondino, Federica; Pedio, Maddalena; Madonia, Antonino; Cannas, Marco; Agnello, Simonpietro; Seravalli, Luca; Giannazzo, Filippo
Influence of the Carrier Gas Flow in the CVD Synthesis of 2-Dimensional MoS2 Based on the Spin-Coating of Liquid Molybdenum Precursors
2024 Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Rossi, Francesca; Fornari, Roberto; Fabbri, Filippo; Seravalli, Luca
Built-in tensile strain dependence on lateral size of monolayer MoS 2 synthetized using liquid precursor chemical vapor deposition
2023 Seravalli, Luca; Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Aversa, Lucrezia; Trevisi, Giovanna; Verucchi, Roberto; Lazzarini, Laura; Rossi, Francesca; Fabbri, Filippo
Dependence of built-in tensile strain on lateral size of monolayer MoS₂ grown on standard SiO₂/Si substrates by liquid precursor chemical vapor deposition
2023 Seravalli, L.; Esposito, F.; Bosi, M.; Aversa, L.; Trevisi, G.; Verucchi, R.; Lazzarini, L.; Rossi, F.; Fabbri, F.
Role of density gradients in the growth dynamics of 2-dimensional MoS2 using liquid phase molybdenum precursor in chemical vapor deposition
2023 Esposito, F; Bosi, M; Attolini, G; Rossi, F; Panasci, SALVATORE ETHAN; Fiorenza, P; Giannazzo, F; Fabbri, F; Seravalli, L
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Edge Engineering in MoS2 by Chemically Induced Nano-Folding | 1-gen-2025 | Chini, E.; Esposito, F.; Benekou, V.; Muhyuddin, M.; Lunedei, E.; Ruani, G.; Rizzoli, R.; Calabrese Sivieri, G.; Liscio, F.; Corticelli, F.; Seravalli, L.; D'Angelo, P.; Palermo, V.; Santoro, C.; Candini, A.; Gentili, D.; Cavallini, M. | |
| Impact of the Schottky Barrier and Contact‐Induced Strain Variations inside the Channel on the Electrical Behavior of Monolayer MoS2 Transistors | 1-gen-2025 | Panasci, Salvatore Ethan; Schiliro, Emanuela; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Vivona, Marilena; Di Franco, Salvatore; Roccaforte, Fabrizio; Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Pis, Igor; Bondino, Federica; Pedio, Maddalena; Madonia, Antonino; Cannas, Marco; Agnello, Simonpietro; Seravalli, Luca; Giannazzo, Filippo | |
| Influence of the Carrier Gas Flow in the CVD Synthesis of 2-Dimensional MoS2 Based on the Spin-Coating of Liquid Molybdenum Precursors | 1-gen-2024 | Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Rossi, Francesca; Fornari, Roberto; Fabbri, Filippo; Seravalli, Luca | |
| Built-in tensile strain dependence on lateral size of monolayer MoS 2 synthetized using liquid precursor chemical vapor deposition | 1-gen-2023 | Seravalli, Luca; Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Aversa, Lucrezia; Trevisi, Giovanna; Verucchi, Roberto; Lazzarini, Laura; Rossi, Francesca; Fabbri, Filippo | |
| Dependence of built-in tensile strain on lateral size of monolayer MoS₂ grown on standard SiO₂/Si substrates by liquid precursor chemical vapor deposition | 1-gen-2023 | Seravalli, L.; Esposito, F.; Bosi, M.; Aversa, L.; Trevisi, G.; Verucchi, R.; Lazzarini, L.; Rossi, F.; Fabbri, F. | |
| Role of density gradients in the growth dynamics of 2-dimensional MoS2 using liquid phase molybdenum precursor in chemical vapor deposition | 1-gen-2023 | Esposito, F; Bosi, M; Attolini, G; Rossi, F; Panasci, SALVATORE ETHAN; Fiorenza, P; Giannazzo, F; Fabbri, F; Seravalli, L |