Simultaneous quantitative measurements of diffusion length and dopant density in the dot-and-halo features in GaAs by EBIC

C Frigeri
1991

1991
Inglese
2nd Int. Workshop on Beam Injection assessment of efects in Semiconductors: BIADS
Sì, ma tipo non specificato
15-18/7/1991
Meudon-Bellevue (F).
GaAs
Diffusion length
dopant density
EBIC
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Frigeri, C
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
1
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