CNR Institutional Research Information System

Spatially resolved study of dislocations in Si-doped LEC GaAs by DSL, PL and EBIC

C Frigeri
1991
1991
Inglese
Abstract book
DRIP 4 Conference (Defect Recognition and Image Processing for Research and Development of Semiconductors)
32
Sì, ma tipo non specificato
March. 18-22, 1991
Wilmslow, Cheshire (UK)
GaAs
LEC
EBIC
DSL
PL
3
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
L Weyher, J; J van der Wel, P; Frigeri, C
04.02 Abstract in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116713
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact