CNR Institutional Research Information System

Quantitative explanation of gas pressure differences due to etching of a-Si:H layers in NF3 plasma

G Cicala;
1994
1994
Istituto di Nanotecnologia - NANOTEC
Inglese
M.C.M. van de Sanden, published by European Physical Society ECA
XIIth Europhysics Sectional Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG-XII)
XIIth Europhysics Sectional Conference on Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases (ESCAMPIG-XII),
18E
368
369
2
Sì, ma tipo non specificato
1994
Leeuwenhorst Noordwijkerhout (Olanda)
5
none
Cicala, G; Trnovec, J; Bruno, G; Capezzuto, P; Kosinar, I
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116740
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