Combined use of EBIC and DSL photoetching for the quantitative assessment of defect properties in LEC GaAs

	Anno
	
				1989
			
	Parole chiave
	
				GaAs
LEC
defects
EBIC
photoetching
			
	Appare nelle tipologie:
	
				04.02 Abstract in Atti di convegno

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116745

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