Complementary DSL, EBIC and PL study of grown-in defects in Si-doped GaAs crystals grown under Ga- and As-rich conditions by LEC method

	Anno
	
				1989
			
	Parole chiave
	
				GaAs
defects
EBIC
photoetching
			
	Appare nelle tipologie:
	
				04.02 Abstract in Atti di convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116746

CNR Institutional Research Information System