CNR Institutional Research Information System

Complementary DSL, EBIC and PL study of grown-in defects in Si-doped GaAs crystals grown under Ga- and As-rich conditions by LEC method

Frigeri C;
1989
1989
Inglese
Abstract book
DRIP III Conference (Defect Recognition and Image Processing for Research and Development of Semiconductors)
I-7
Sì, ma tipo non specificato
Sept. 22-25, 1989
Tokyo (Japan)
GaAs
defects
EBIC
photoetching
3
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C; Weyher, Jl; Le Si, Dang
04.02 Abstract in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116746
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact