Analysis of dislocations and associated impurity atmospheres in bulk GaAs by means of SEM-EBIC measurements and DSL photoetching

Frigeri C;
1988

1988
Inglese
9th European Congress on Electron Microscopy (EUREM 88)
93
63
Sì, ma tipo non specificato
4-9/09/1988
York (UK)
GaAs
LEC
dislocations
EBIC
photoetching
2
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C; Weyher, J L
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/116818
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