CNR Institutional Research Information System

Structural features of S.I. VB GaAs after multiple-temperature ingot annealing

C Frigeri;
1995
1995
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
M. Godlewski
Semi-insulating III-V Materials
8th Conf. on Semi-Insulating III-
163
166
9810220081
World Scientific
Singapore
SINGAPORE
June 6-10, 1994
Warsaw (PL)
GaAs
VB
annealing
structure
1
none
J. L. Weyher; C. Frigeri; P. Gall;R. Kremer
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/117828
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