Study of microloops and associated particles in Si-doped HB GaAs by TEM, DSL photoetching and Laser Scattering Tomography

C Frigeri;
1991

1991
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
A. Lörinczy
Crystal Properties and Preparation, Part 2
3RD EUROPEAN CONF ON CRYSTAL GROWTH ( ECCG 3 )
394
399
0-87849-545-2
Trans Tech Publications Ltd.
Stafa-Zurich
SWAZILAND
Sì, ma tipo non specificato
MAY 05-11, 1991
Budapest (H)
GaAs
HB
microdefects
TEM
photoetching
1
none
C. Frigeri; J. L. Weyher;P. Gall
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/118586
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