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An EBIC method for the quantitative determination of dopant concentration at striations in LEC GaAs

Frigeri C
1987
1987
Inglese
Abstract book
5th Oxford Conference on Electron Microscopy of Semiconducting Materials
P2-36
Sì, ma tipo non specificato
06-08/04/1987
Oxford (UK)
EBIC
GaAs
dopant concentration
striations
1
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/120117
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