CNR Institutional Research Information System

An EBIC method for the quantitative determination of dopant concentration at striations in LEC GaAs

C Frigeri
1987
1987
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
A. G. Cullis and P. D. Augustus
Microscopy of Semiconducting Materials 1987
5th Oxford Conference on Electron Microscopy of Semiconducting Materials
87
748
751
0-85498-178-0
IOP Publishing Ltd.
Bristol BS1 6BE
REGNO UNITO DI GRAN BRETAGNA
Sì, ma tipo non specificato
APR 06-08, 1989
Oxford (UK)
EBIC
GaAs
dopant concentration
striations
1
none
C. Frigeri
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/126018
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