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Analysis of extended defects in CZ silicon annealed in either oxygen or nitrogen by optical and electron beams methods

C Frigeri;
2001
2001
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Si
annealing
stacking faults
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/130009
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