CNR Institutional Research Information System

On the absence of decoration As precipitates in Te-doped GaAs

C Frigeri;
2000
2000
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Inglese
EDS 2000, Extended Defects in Semiconductors
Sì, ma tipo non specificato
July 18-22, 2000
Brighton (UK)
As precipitates
Te-doped
GaAs
3
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Frigeri, C; L Weyher, J; Jiménez, J
04.02 Abstract in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/130081
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact