CNR Institutional Research Information System

Influence of compositional macrosteps on the reduction of the critical thickness by generation of <010> misfit dislocations in InGaAs/GaAs quantum wells

C Frigeri
2000
2000
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
InGaAs/GaAs
misfit dislocations
TEM
04.02 Abstract in Atti di convegno
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