CNR Institutional Research Information System

On the Reduction of the Critical Thickness in InxGa1-xAs Quantum Well Layers Grown on Vicinal GaAs Substrates

C Frigeri;
1999
1999
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
InGaAs/GaAs
misfit dislocations
TEM
critical thickness
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/130794
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