Influence of the In content inhomogeneities on the generation of <010> misfit dislocations in MOVPE InGaAs SQWs

C Frigeri;
1999

1999
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
8023835513
InGaAs/GaAs
misfit dislocations
TEM
strain relaxatiopn
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/133602
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