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A TEM study of InGaAs/GaAs SQWs MOCVD grown on GaAs substrates oriented either exactly (100) or (100) 2° off <110>

C Frigeri;
1995
1995
InGaAs/GaAs
SQW
miscut substrate
MOCVD
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/138061
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