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Elimination of misfit dislocations in MOVPE grown GaAs/Ge heterostructures by using high growth rates

C Frigeri;
1994
1994
Inglese
Abstract book
1st International Conference on Materials for Microelectronics
161
Sì, ma tipo non specificato
17-19/10/94
Barcelona (E)
GaAs/Ge
heterostructure
growth
misfit dislocations
1
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
C. Frigeri; G.Attolini; C. Pelosi;F. Longo
04.02 Abstract in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/138092
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