The effect of V/III ratio on the interface defectivity of GaAs/Ge heterostructures

C Frigeri;
1994

1994
Inglese
Abstract book
8th Internatinal Conference on Vapour Growth and Epitaxy (ICVGE-8)
MO31-178
Sì, ma tipo non specificato
24-29/08/94
Freiburg i. Br. (D)
GaAs/Ge
heterostructure
growth
interface
V/III ratio
7
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Pelosi, C; Gattolini, ; Bocchi, C; Draida, N; Franzosi, P; Frigeri, C; Gombia, E
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/138094
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact