InGaPN epitaksiyel tabakalar?n?n Si altta?lar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin, trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynaklar? ile metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekni?i kullan?larak yap?ld?. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-ba?lanma ve anti faz olu?umlar? kaynakl? arayüzey problemlerini azaltmak amac?yla çok ince bir GaP tampon tabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr bas?nçta ve 630 C? altta? s?cakl???nda haz?rland?. X-???n? k?r?n?m? deneyleri, tabakalar?n örgü sabitlerini ve altta? ile örgü uyumsuzluklar?n? de?erlendirmek için kullan?ld?. Taramal? elektron mikroskobu (TEM), tabakalar?n yap?sal özelliklerini de?erlendirmek ve kusurlar?n varl???n? de?erlendirmek için kullan?ld?. Numuneler fotolüminesans ve Raman saç?lmas? ile karakterize edildi. Ortalama yüzey pürüzlülü?ü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.
Structural al optical characterization of GaInPN structures grown on Si substrate with MOVPE technique
G Attolini;M Bosi;
2011
Abstract
InGaPN epitaksiyel tabakalar?n?n Si altta?lar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin, trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynaklar? ile metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekni?i kullan?larak yap?ld?. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-ba?lanma ve anti faz olu?umlar? kaynakl? arayüzey problemlerini azaltmak amac?yla çok ince bir GaP tampon tabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr bas?nçta ve 630 C? altta? s?cakl???nda haz?rland?. X-???n? k?r?n?m? deneyleri, tabakalar?n örgü sabitlerini ve altta? ile örgü uyumsuzluklar?n? de?erlendirmek için kullan?ld?. Taramal? elektron mikroskobu (TEM), tabakalar?n yap?sal özelliklerini de?erlendirmek ve kusurlar?n varl???n? de?erlendirmek için kullan?ld?. Numuneler fotolüminesans ve Raman saç?lmas? ile karakterize edildi. Ortalama yüzey pürüzlülü?ü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
