Nello sviluppo del processo è stata prestata particolare attenzione alla prima fase di crescita (carbonizzazione della superficie) e all'effetto che hanno le diverse orientazioni cristallografiche del silicio sulla carbonizzazione e la successiva crescita. Inoltre è stato sviluppato con cura il processo di rampa fra la carbonizzazione e il processo di crescita e si è scelto di realizzare un processo di crescita e di carbonizzazione a bassa pressione che presenta delle notevoli possibilità di miglioramenti futuri. Infine per il processo di crescita vero e proprio si è scelto di utilizzare il triclorosilano perchè, dal momento che evita la precipitazione in fase gassosa del silicio, può permettere di arrivare ad alte velocità di crescita. Queste alte velocità sono necessarie dal momento che per crescere dei wafer che si possano facilmente maneggiare anche dopo l'asportazione del silicio è necessario crescere almeno 100 micron di spessore in tempi ragionevoli dal punto di vista industriale. Nel prossimo periodo quindi l'attività di ricerca verrà focalizzata essenzialmente sullo sviluppo del processo di crescita al fine di ottenere queste alte velocità di crescita che sono state ottenute nel processo di omo-epitassia. In questo caso il processo risulta essere più complesso ma da alcune indicazioni di letteratura ed anche grazie alla collaborazione con l'Università di Tampa, pensiamo di migliorare notevolmente le velocità di crescita attualmente ottenute.
Processo di crescita etero-epitassiale di SiC mediante precursori innovativi
La Via F;Anzalone R;
2007
Abstract
Nello sviluppo del processo è stata prestata particolare attenzione alla prima fase di crescita (carbonizzazione della superficie) e all'effetto che hanno le diverse orientazioni cristallografiche del silicio sulla carbonizzazione e la successiva crescita. Inoltre è stato sviluppato con cura il processo di rampa fra la carbonizzazione e il processo di crescita e si è scelto di realizzare un processo di crescita e di carbonizzazione a bassa pressione che presenta delle notevoli possibilità di miglioramenti futuri. Infine per il processo di crescita vero e proprio si è scelto di utilizzare il triclorosilano perchè, dal momento che evita la precipitazione in fase gassosa del silicio, può permettere di arrivare ad alte velocità di crescita. Queste alte velocità sono necessarie dal momento che per crescere dei wafer che si possano facilmente maneggiare anche dopo l'asportazione del silicio è necessario crescere almeno 100 micron di spessore in tempi ragionevoli dal punto di vista industriale. Nel prossimo periodo quindi l'attività di ricerca verrà focalizzata essenzialmente sullo sviluppo del processo di crescita al fine di ottenere queste alte velocità di crescita che sono state ottenute nel processo di omo-epitassia. In questo caso il processo risulta essere più complesso ma da alcune indicazioni di letteratura ed anche grazie alla collaborazione con l'Università di Tampa, pensiamo di migliorare notevolmente le velocità di crescita attualmente ottenute.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
