Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza

Si tratta di rivelatori UV realizzati mediante diodi Schottky in 4H-SiC utilizzando lo svuotamento laterale e quindi, grazie a questo effetto, collezionano portatori fin dalla superficie. Mostrano quindi elevata QE(%) del 40% a 270 nm con una rejection rate >7000 e tempi di risposta <ms inoltre QE =20% a 220 nm ed una risposta anche a lunghezze d'onda più piccole (ad es QE circa 15% a 180nm). Inoltre siamo riusciti a contollare alcuni fenomeni per cui abbiamo dei dispositivi con QE>200(%) ma sono lenti e possono essere usati solo come dosimetri.