-

Metastable Phase of Ion Implanted Antimony in Silicon by Incoherent Light Annealing

R Rizzoli
1984

Abstract

-
1984
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
K Hennig
Energy pulse modification of semiconductors and related materials
Conference on Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials
291
295
5
Akademie der Wissenschaften der DDR, Zentralinstitut fu?r Kernforschung Rossendorf bei Dresden
Dresden
GERMANIA
Sì, ma tipo non specificato
25-28 September, 1984
Dresden, G.D.R.
Ion Implanted Antimony
1
none
Ya. Zysin; A. Nylandsted Larsen; G. Weyer; R. Galloni; R. Rizzoli
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
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