CNR Institutional Research Information System

Strain Characterisation at the nm Scale of Deep Sub-Micron Devices by Convergent-Beam Electron Diffraction

Aldo Armigliato;R Balboni;
2002
2002
Inglese
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
9th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2001)
82-84
727
734
8
3-908450-64-0
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
, BRANDRAIN 6, CH-8707 ZURICH-UETIKON,
SVIZZERA
Sì, ma tipo non specificato
SEP 30-OCT 03, 2001
CATANIA, ITALY
electron diffraction
process simulation
silicon devices
strain
stress
WOS:000172421600115
7
none
Frabboni, S; Armigliato, Aldo; Balboni, R; Carnevale, Gp; Benedetti, A; Cullis, Ag; Piccolo, D
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/210623
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