CNR Institutional Research Information System

Ultra-shallow junction formation by excimer laser annealing of ultra-low energy B implanted in Si.

Fortunato G;Mariucci L;La Magna A;Mannino G;
2003
2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
WOS:000186232900037
756
2-s2.0-0242661413
8
info:eu-repo/semantics/article
262
Fortunato, G; Mariucci, L; Privitera, V; Whelan, S; La Magna, A; Mannino, G; Italia, M; Bongiorno, C
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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