Distribution of the threshold voltage window in nanocrystal memories with Si dots formed by chemical vapor deposition: Effect of partial self-ordering
Lombardo S;Puglisi RA;Crupi I;Nicotra G;
2004
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.