CNR Institutional Research Information System

ON THE CONNECTION BETWEEN INTERSTITIAL OXYGEN, OXYGEN PRECIPITATE, AND DIFFUSIONS OF CR AND CU IMPURITIES IN CZ SILICON

APoggi
1991
1991
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
INDUCED RECOMBINATION CENTERS; HEAT-TREATED SILICON; 600-DEGREES-C; RESISTIVITY
01.01 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/237093
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact