LOW-TEMPERATURE EQUILIBRIA OF POINT-DEFECTS INDUCED BY CONVENTIONAL AND RAPID THERMAL ANNEALING IN CZ SILICON

APoggi;
1987

1987
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
Proc.of the First International Symposium on ULSI Science and Technology "ULSI Science and Technology 1987",
"ULSI Science and Technology 1987"
358
365
8
Sì, ma tipo non specificato
11-15 maggio 1897
Filadelfia
4
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
none
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Esusi, ; Apoggi, ; Glulli, ; Zsourek,
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