CNR Institutional Research Information System

Rapid Thermal Annealing of Ion Implanted Sb in Si: a Comparison of Substitutional Fractions from Channeling, Electrical and Mössbauer Measurements

RRizzoli
1985
1985
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
04.01 Contributo in Atti di convegno
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