CNR Institutional Research Information System

-

Annealing Behaviour of High Concentration of Implanted Sb and Sn in Silicon

R Rizzoli
1986

Abstract

-
1986
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
Defect in Semiconductors 14
14th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-14),
10-12
1135
1140
6
978-0-87849-551-1
Trans Tech Publications
Uetikon-Zurich
SVIZZERA
Sì, ma tipo non specificato
1986
Paris (francia)
High doping concentration
Sb in Si
Sn in Si
annealing
ion implantation
ù
1
none
G.Weyer; A.Nylandsted Larsen; F.T.Pedersen; R.Galloni; R. Rizzoli
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/238493
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact