[object Object]
A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf)
Molle Alessandro;Cianci Elena;Lamperti Alessio;Wiemer Claudia;Spiga Sabina;Fanciulli Marco
2013
Abstract
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