CNR Institutional Research Information System

[object Object]

A viable route to enhance permittivity of gate dielectrics on In 0.53Ga0.47As(001): Trimethylaluminum-based atomic layer deposition of MeO2 (Me = Zr, Hf)

Molle Alessandro;Cianci Elena;Lamperti Alessio;Wiemer Claudia;Spiga Sabina;Fanciulli Marco
2013

Abstract

[object Object]
2013
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
2
9
P395
P399
2-s2.0-84887348879
http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84887348879&origin=inward
Sì, ma tipo non specificato
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Molle, Alessandro; Cianci, Elena; Lamperti, Alessio; Wiemer, Claudia; Spiga, Sabina; Fanciulli, Marco
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/264715
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