CNR Institutional Research Information System

Analytical prediction of the cross-over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H-SiC p+-i-n diodes

Roberta NIPOTI
2014
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
4H-SiC
p-i-n vertrical diodes
simulation
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/279664
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