NIPOTI, ROBERTA
NIPOTI, ROBERTA
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Carrier Lifetime Dependence on Temperature and Proton Irradiation in 4H-SiC Device: An Experimental Law
2024 Sozzi, Giovanna; Sapienza, Sergio; Chiorboli, Giovanni; Vines, Lasse; Hallén, Anders; Nipoti, Roberta
Investigating Mesa Structure Impact on C-V Measurements
2024 Sozzi, Giovanna; Chiorboli, Giovanni; Perini, Lorenzo; Nipoti, Roberta
The effects of different anode manufacturing methods on deep levels in 4H-SiC p+n diodes
2024 Alfieri, G.; Bolat, S.; Nipoti, R.
Native Silicon Oxide Properties Determined by Doping
2023 DELLA CIANA, Michele; Kovtun, Alessandro; Summonte, Caterina; Candini, Andrea; Cavalcoli, Daniela; Gentili, Denis; Nipoti, Roberta; Albonetti, Cristiano
Estimation of Activation and Compensation Ratios in Al+ ion Implanted 4H-SiC: Comparison of Two Methodologies
2022 Nipoti, Roberta; Boldrini, Virginia; Canino, Mariaconcetta; Tamarri, Fabrizio; Vantaggio, Salvatore; Parisini, Antonella
Ion implantation and activation of aluminum in bulk 3C-SiC and 3C-SiC on Si
2022 Torregrosa, F.; Canino, M.; Li, F.; Tamarri, F.; Roux, B.; Morata, S.; La Via, F.; Zielinski, M.; Nipoti, R.
Machine Learning Techniques for Pile-Up Rejection in Cryogenic Calorimeters
2022 Fantini G.; Armatol A.; Armengaud E.; Armstrong W.; Augier C.; Avignone F.T.; Azzolini O.; Barabash A.; Bari G.; Barresi A.; Baudin D.; Bellini F.; Benato G.; Beretta M.; Berge L.; Biassoni M.; Billard J.; Boldrini V.; Branca A.; Brofferio C.; Bucci C.; Camilleri J.; Capelli S.; Cappelli L.; Cardani L.; Carniti P.; Casali N.; Cazes A.; Celi E.; Chang C.; Chapellier M.; Charrier A.; Chiesa D.; Clemenza M.; Colantoni I.; Collamati F.; Copello S.; Cova F.; Cremonesi O.; Creswick R.J.; Cruciani A.; D'Addabbo A.; D'Imperio G.; Dafinei I.; Danevich F.A.; de Combarieu M.; De Jesus M.; de Marcillac P.; Dell'Oro S.; Domizio S.D.; Dompe V.; Drobizhev A.; Dumoulin L.; Fasoli M.; Faverzani M.; Ferri E.; Ferri F.; Ferroni F.; FigueroaFeliciano E.; Formaggio J.; Franceschi A.; Fu C.; Fu S.; Fujikawa B.K.; Gascon J.; Giachero A.; Gironi L.; Giuliani A.; Gorla P.; Gotti C.; Gras P.; Gros M.; Gutierrez T.D.; Han K.; Hansen E.V.; Heeger K.M.; Helis D.L.; Huang H.Z.; Huang R.G.; Imbert L.; Johnston J.; Juillard A.; Karapetrov G.; Keppel G.; Khalife H.; Kobychev V.V.; Kolomensky Y.G.; Konovalov S.; Liu Y.; Loaiza P.; Ma L.; Madhukuttan M.; Mancarella F.; Mariam R.; Marini L.; Marnieros S.; Martinez M.; Maruyama R.H.; Mauri B.; Mayer D.; Mei Y.; Milana S.; Misiak D.; Napolitano T.; Nastasi M.; Navick X.F.; Nikkel J.; Nipoti R.; Nisi S.; Nones C.; Norman E.B.; Novosad V.; Nutini I.; O'Donnell T.; Olivieri E.; Oriol C.; Ouellet J.L.; Pagan S.; Pagliarone C.; Pagnanini L.; Pari P.; Pattavina L.; Paul B.; Pavan M.; Peng H.; Pessina G.; Pettinacci V.; Pira C.; Pirro S.; Poda D.V.; Polakovic T.; Polischuk O.G.; Pozzi S.; Previtali E.; Puiu A.; Ressa A.; Rizzoli R.; Rosenfeld C.; Rusconi C.; Sanglard V.; Scarpaci J.; Schmidt B.; Sharma V.; Shlegel V.; Singh V.; Sisti M.; Speller D.; Surukuchi P.T.; Taffarello L.; Tellier O.; Tomei C.; Tretyak V.I.; Tsymbaliuk A.; Vedda A.; Velazquez M.; Vetter K.J.; Wagaarachchi S.L.; Wang G.; Wang L.; Welliver B.; Wilson J.; Wilson K.; Winslow L.A.; Xue M.; Yan L.; Yang J.; Yefremenko V.; Yumatov V.; Zarytskyy M.M.; Zhang J.; Zolotarova A.; Zucchelli S.
Majority and minority carrier traps in manganese as-implantated and post-implantation annealed 4H-SiC
2022 Alfieri, G; Wirths, S; Buca, D; Nipoti, R
Mechanism Governing Surface Roughening of Al Ion Implanted 4H-SiC during Annealing under a C-Cap
2022 Canino, Mariaconcetta; Mancarella, Fulvio; Bonafe, Filippo; Corticelli, Franco; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta
Phosphorous and Aluminum Implantation for MOSFET Manufacturing: Revisiting Implantation Dose Rate and Subsequent Surface Morphology
2022 Woerle, J.; Belanche, M.; Negri, M.; Lamontagne, C.; Bonafe', F.; Nipoti, R.; Grossner, U.
OCVD Measurement of Ambipolar and Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Devices: Relevance of the Measurement Setup
2021 Sozzi, Giovanna; Sapienza, Sergio; Nipoti, Roberta; Chiorboli, Giovanni
3 × 1018 - 1 × 1019 cm-3 al+ ion implanted 4h-sic: Annealing time effect
2020 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Canino, Mariaconcetta; Sanmartin, Michele; Alfieri, Giovanni
4H-SiC surface morphology after Al ion implantation and annealing with C-cap
2020 Canino, Mariaconcetta; Fedeli, Paolo; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta
A CUPID Li2 100MoO4 scintillating bolometer tested in the CROSS underground facility
2020 Armatol, A.; Armengaud, E.; Armstrong, W.; Augier, C.; Avignone, F. T.; Iii, ; Azzolini, O.; Bandac, I. C.; Barabash, A. S.; Bari, G.; Barresi, A.; Baudin, D.; Bellini, F.; Benato, G.; Beretta, M.; Bergé, L.; Bourgeois, Ch.; Biassoni, M.; Billard, J.; Boldrini, V.; Branca, A.; Brofferio, C.; Bucci, C.; Calvo-Mozota, J. M.; Camilleri, J.; Candela, A.; Capelli, S.; Cappelli, L.; Cardani, L.; Carniti, P.; Casali, N.; Cazes, A.; Celi, E.; Chang, C.; Chapellier, M.; Charrier, A.; Chiesa, D.; Clemenza, M.; Colantoni, I.; Collamati, F.; Copello, S.; Cova, F.; Cremonesi, O.; Creswick, R. J.; Cruciani, A.; D'Addabbo, A.; D'Imperio, G.; Dafinei, I.; Danevich, F. A.; De Combarieu, M.; De Deo, M.; De Jesus, M.; De Marcillac, P.; Dell'Oro, S.; Di Domizio, S.; Dompe, V.; Drobizhev, A.; Dumoulin, L.; Fantini, G.; Fasoli, M.; Faverzani, M.; Ferri, E.; Ferri, F.; Ferroni, F.; Figueroa-Feliciano, E.; Formaggio, J.; Franceschi, A.; Fu, C.; Fu, S.; Fujikawa, B. K.; Gascon, J.; Giachero, A.; Gironi, L.; Giuliani, A.; Gorla, P.; Gotti, C.; Gras, P.; Gros, M.; Guerard, E.; Gutierrez, T. D.; Han, K.; Hansen, E. V.; Heeger, K. M.; Helis, D. L.; Huang, H. Z.; Huang, R. G.; Ianni, A.; Imbert, L.; Johnston, J.; Juillard, A.; Karapetrov, G.; Keppel, G.; Khalife, H.; Kobychev, V. V.; Kolomensky, Yu. G.; Konovalov, S. I.; Liu, Y.; Loaiza, P.; Ma, L.; Madhukuttan, M.; Mancarella, F.; Mariam, R.; Marini, L.; Marnieros, S.; Martinez, M.; Maruyama, R. H.; Mauri, B.; Mayer, D.; Mei, Y.; Milana, S.; Misiak, D.; Napolitano, T.; Nastasi, M.; Navick, X. -F.; Nikkel, J.; Nipoti, R.; Nisi, S.; Nones, C.; Norman, E. B.; Novosad, V.; Nutini, I.; O'Donnell, T.; Olivier, G.; Olivieri, E.; Oriol, C.; Ouellet, J. L.; Pagan, S.; Pagliarone, C.; Pagnanini, L.; Pari, P.; Pattavina, L.; Paul, B.; Pavan, M.; Peng, H.; Pessina, G.; Pettinacci, V.; Pira, C.; Pirro, S.; Poda, D. V.; Polakovic, T.; Polischuk, O. G.; Pozzi, S.; Previtali, E.; Puiu, A.; Ressa, A.; Reynet, D.; Rizzoli, R.; Rosenfeld, C.; Sanglard, V.; Scarpaci, J. A.; Schmidt, B.; Sharma, V.; Shlegel, V. N.; Singh, V.; Sisti, M.; Speller, D.; Surukuchi, P. T.; Taffarello, L.; Tellier, O.; Tomei, C.; Tretyak, V. I.; Tsymbaliuk, A.; Vedda, A.; Velazquez, M.; Vetter, K. J.; Wagaarachchi, S. L.; Wang, G.; Wang, L.; Welliver, B.; Wilson, J.; Wilson, K.; Winslow, L. A.; Xue, M.; Yan, L.; Yang, J.; Yefremenko, V.; Yumatov, V. I.; Zarytskyy, M. M.; Zhang, J.; Zolotarova, A. S.; Zucchelli, S.
Ion implanted phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs source regions: Effect of the post implantation annealing time
2020 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike
Novel technique for the study of pile-up events in cryogenic bolometers
2020 Armatol, A.; Armengaud, E.; Armstrong, W.; Augier, C.; Avignone, F. T.; Azzolini, O.; Barabash, A.; Bari, G.; Barresi, A.; Baudin, D.; Bellini, F.; Benato, G.; Beretta, M.; Berg('e), L.; Biassoni, M.; Billard, J.; Boldrini, V.; Branca, A.; Brofferio, C.; Bucci, C.; Camilleri, J.; Capelli, S.; Cappelli, L.; Cardani, L.; Carniti, P.; Casali, N.; Cazes, A.; Celi, E.; Chang, C.; Chapellier, M.; Charrier, A.; Chiesa, D.; Clemenza, M.; Colantoni, I.; Collamati, F.; Copello, S.; Cremonesi, O.; Creswick, R. J.; Cruciani, A.; D(')Addabbo, A.; D(')Imperio, G.; Dafinei, I.; Danevich, F. A.; de Combarieu, M.; de Jesus, M.; de Marcillac, P.; Dell(')Oro, S.; Di Domizio, S.; Domp(\`e), V.; Drobizhev, A.; Dumoulin, L.; Fantini, G.; Faverzani, M.; Ferri, E.; Ferri, F.; Ferroni, F.; Figueroa-Feliciano, E.; Formaggio, J.; Franceschi, A.; Fu, C.; Fu, S.; Fujikawa, B. K.; Gascon, J.; Giachero, A.; Gironi, L.; Giuliani, A.; Gorla, P.; Gotti, C.; Gras, P.; Gros, M.; Gutierrez, T. D.; Han, K.; Hansen, E. V.; Heeger, K. M.; Helis, D. L.; Huang, H. Z.; Huang, R. G.; Imbert, L.; Johnston, J.; Juillard, A.; Karapetrov, G.; Keppel, G.; Khalife, H.; Kobychev, V. V.; Kolomensky, Yu. G.; Konovalov, S.; Liu, Y.; Loaiza, P.; Ma, L.; Madhukuttan, M.; Mancarella, F.; Mariam, R.; Marini, L.; Marnieros, S.; Martinez, M.; Maruyama, R. H.; Mauri, B.; Mayer, D.; Mei, Y.; Milana, S.; Misiak, D.; Napolitano, T.; Nastasi, M.; Navick, X. F.; Nikkel, J.; Nipoti, R.; Nisi, S.; Nones, C.; Norman, E. B.; Novosad, V.; Nutini, I.; O(')Donnell, T.; Olivieri, E.; Oriol, C.; Ouellet, J. L.; Pagan, S.; Pagliarone, C.; Pagnanini, L.; Pari, P.; Pattavina, L.; Paul, B.; Pavan, M.; Peng, H.; Pessina, G.; Pettinacci, V.; Pira, C.; Pirro, S.; Poda, D. V.; Polakovic, T.; Polischuk, O. G.; Pozzi, S.; Previtali, E.; Puiu, A.; Ressa, A.; Rizzoli, R.; Rosenfeld, C.; Rusconi, C.; Sanglard, V.; Scarpaci, J.; Schmidt, B.; Sharma, V.; Shlegel, V.; Singh, V.; Sisti, M.; Speller, D.; Surukuchi, P. T.; Taffarello, L.; Tellier, O.; Tomei, C.; Tretyak, V. I.; Tsymbaliuk, A.; Velazquez, M.; Vetter, K. J.; Wagaarachchi, S. L.; Wang, G.; Wang, L.; Welliver, B.; Wilson, J.; Wilson, K.; Winslow, L. A.; Xue, M.; Yan, L.; Yang, J.; Yefremenko, V.; Yumatov, V.; Zarytskyy, M. M.; Zhang, J.; Zolotarova, A.; Zucchelli, S.
1300°C annealing of 1 × 10^20 cm^-3 Al+ ion implanted 3C-SiC/Si
2019 Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Zielinski, Marcin; Torregrosa, Frank; Carnera, Alberto
1300°c annealing of 1×1020 al+ ion implanted 3C-SiC
2019 Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Bonafè, Filippo; Torregrosa, Frank; Monnoye, Sylvain; Mank, Hugues; Zielinski, Marcin
Activation energy for the post implantation annealing of 1019cm-3 and 1020 cm-3 ion implanted al in 4H SiC.
2019 Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Sapienza, Sergio; Bellettato, Michele; Sozzi, Giovanna; Alfieri, Giovanni
Al+ ion implanted 4H-SiC: Electrical activation versus annealing time
2019 Nipoti, R.; Parisini, A.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Carrier Lifetime Dependence on Temperature and Proton Irradiation in 4H-SiC Device: An Experimental Law | 1-gen-2024 | Sozzi, Giovanna; Sapienza, Sergio; Chiorboli, Giovanni; Vines, Lasse; Hallén, Anders; Nipoti, Roberta | |
| Investigating Mesa Structure Impact on C-V Measurements | 1-gen-2024 | Sozzi, Giovanna; Chiorboli, Giovanni; Perini, Lorenzo; Nipoti, Roberta | |
| The effects of different anode manufacturing methods on deep levels in 4H-SiC p+n diodes | 1-gen-2024 | Alfieri, G.; Bolat, S.; Nipoti, R. | |
| Native Silicon Oxide Properties Determined by Doping | 1-gen-2023 | DELLA CIANA, Michele; Kovtun, Alessandro; Summonte, Caterina; Candini, Andrea; Cavalcoli, Daniela; Gentili, Denis; Nipoti, Roberta; Albonetti, Cristiano | |
| Estimation of Activation and Compensation Ratios in Al+ ion Implanted 4H-SiC: Comparison of Two Methodologies | 1-gen-2022 | Nipoti, Roberta; Boldrini, Virginia; Canino, Mariaconcetta; Tamarri, Fabrizio; Vantaggio, Salvatore; Parisini, Antonella | |
| Ion implantation and activation of aluminum in bulk 3C-SiC and 3C-SiC on Si | 1-gen-2022 | Torregrosa, F.; Canino, M.; Li, F.; Tamarri, F.; Roux, B.; Morata, S.; La Via, F.; Zielinski, M.; Nipoti, R. | |
| Machine Learning Techniques for Pile-Up Rejection in Cryogenic Calorimeters | 1-gen-2022 | Fantini G.; Armatol A.; Armengaud E.; Armstrong W.; Augier C.; Avignone F.T.; Azzolini O.; Barabash A.; Bari G.; Barresi A.; Baudin D.; Bellini F.; Benato G.; Beretta M.; Berge L.; Biassoni M.; Billard J.; Boldrini V.; Branca A.; Brofferio C.; Bucci C.; Camilleri J.; Capelli S.; Cappelli L.; Cardani L.; Carniti P.; Casali N.; Cazes A.; Celi E.; Chang C.; Chapellier M.; Charrier A.; Chiesa D.; Clemenza M.; Colantoni I.; Collamati F.; Copello S.; Cova F.; Cremonesi O.; Creswick R.J.; Cruciani A.; D'Addabbo A.; D'Imperio G.; Dafinei I.; Danevich F.A.; de Combarieu M.; De Jesus M.; de Marcillac P.; Dell'Oro S.; Domizio S.D.; Dompe V.; Drobizhev A.; Dumoulin L.; Fasoli M.; Faverzani M.; Ferri E.; Ferri F.; Ferroni F.; FigueroaFeliciano E.; Formaggio J.; Franceschi A.; Fu C.; Fu S.; Fujikawa B.K.; Gascon J.; Giachero A.; Gironi L.; Giuliani A.; Gorla P.; Gotti C.; Gras P.; Gros M.; Gutierrez T.D.; Han K.; Hansen E.V.; Heeger K.M.; Helis D.L.; Huang H.Z.; Huang R.G.; Imbert L.; Johnston J.; Juillard A.; Karapetrov G.; Keppel G.; Khalife H.; Kobychev V.V.; Kolomensky Y.G.; Konovalov S.; Liu Y.; Loaiza P.; Ma L.; Madhukuttan M.; Mancarella F.; Mariam R.; Marini L.; Marnieros S.; Martinez M.; Maruyama R.H.; Mauri B.; Mayer D.; Mei Y.; Milana S.; Misiak D.; Napolitano T.; Nastasi M.; Navick X.F.; Nikkel J.; Nipoti R.; Nisi S.; Nones C.; Norman E.B.; Novosad V.; Nutini I.; O'Donnell T.; Olivieri E.; Oriol C.; Ouellet J.L.; Pagan S.; Pagliarone C.; Pagnanini L.; Pari P.; Pattavina L.; Paul B.; Pavan M.; Peng H.; Pessina G.; Pettinacci V.; Pira C.; Pirro S.; Poda D.V.; Polakovic T.; Polischuk O.G.; Pozzi S.; Previtali E.; Puiu A.; Ressa A.; Rizzoli R.; Rosenfeld C.; Rusconi C.; Sanglard V.; Scarpaci J.; Schmidt B.; Sharma V.; Shlegel V.; Singh V.; Sisti M.; Speller D.; Surukuchi P.T.; Taffarello L.; Tellier O.; Tomei C.; Tretyak V.I.; Tsymbaliuk A.; Vedda A.; Velazquez M.; Vetter K.J.; Wagaarachchi S.L.; Wang G.; Wang L.; Welliver B.; Wilson J.; Wilson K.; Winslow L.A.; Xue M.; Yan L.; Yang J.; Yefremenko V.; Yumatov V.; Zarytskyy M.M.; Zhang J.; Zolotarova A.; Zucchelli S. | |
| Majority and minority carrier traps in manganese as-implantated and post-implantation annealed 4H-SiC | 1-gen-2022 | Alfieri, G; Wirths, S; Buca, D; Nipoti, R | |
| Mechanism Governing Surface Roughening of Al Ion Implanted 4H-SiC during Annealing under a C-Cap | 1-gen-2022 | Canino, Mariaconcetta; Mancarella, Fulvio; Bonafe, Filippo; Corticelli, Franco; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta | |
| Phosphorous and Aluminum Implantation for MOSFET Manufacturing: Revisiting Implantation Dose Rate and Subsequent Surface Morphology | 1-gen-2022 | Woerle, J.; Belanche, M.; Negri, M.; Lamontagne, C.; Bonafe', F.; Nipoti, R.; Grossner, U. | |
| OCVD Measurement of Ambipolar and Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Devices: Relevance of the Measurement Setup | 1-gen-2021 | Sozzi, Giovanna; Sapienza, Sergio; Nipoti, Roberta; Chiorboli, Giovanni | |
| 3 × 10<sup>18</sup> - 1 × 10<sup>19</sup> cm<sup>-3</sup> al<sup>+</sup> ion implanted 4h-sic: Annealing time effect | 1-gen-2020 | Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Canino, Mariaconcetta; Sanmartin, Michele; Alfieri, Giovanni | |
| 4H-SiC surface morphology after Al ion implantation and annealing with C-cap | 1-gen-2020 | Canino, Mariaconcetta; Fedeli, Paolo; Albonetti, Cristiano; Nipoti, Roberta | |
| A CUPID Li2 100MoO4 scintillating bolometer tested in the CROSS underground facility | 1-gen-2020 | Armatol, A.; Armengaud, E.; Armstrong, W.; Augier, C.; Avignone, F. T.; Iii, ; Azzolini, O.; Bandac, I. C.; Barabash, A. S.; Bari, G.; Barresi, A.; Baudin, D.; Bellini, F.; Benato, G.; Beretta, M.; Bergé, L.; Bourgeois, Ch.; Biassoni, M.; Billard, J.; Boldrini, V.; Branca, A.; Brofferio, C.; Bucci, C.; Calvo-Mozota, J. M.; Camilleri, J.; Candela, A.; Capelli, S.; Cappelli, L.; Cardani, L.; Carniti, P.; Casali, N.; Cazes, A.; Celi, E.; Chang, C.; Chapellier, M.; Charrier, A.; Chiesa, D.; Clemenza, M.; Colantoni, I.; Collamati, F.; Copello, S.; Cova, F.; Cremonesi, O.; Creswick, R. J.; Cruciani, A.; D'Addabbo, A.; D'Imperio, G.; Dafinei, I.; Danevich, F. A.; De Combarieu, M.; De Deo, M.; De Jesus, M.; De Marcillac, P.; Dell'Oro, S.; Di Domizio, S.; Dompe, V.; Drobizhev, A.; Dumoulin, L.; Fantini, G.; Fasoli, M.; Faverzani, M.; Ferri, E.; Ferri, F.; Ferroni, F.; Figueroa-Feliciano, E.; Formaggio, J.; Franceschi, A.; Fu, C.; Fu, S.; Fujikawa, B. K.; Gascon, J.; Giachero, A.; Gironi, L.; Giuliani, A.; Gorla, P.; Gotti, C.; Gras, P.; Gros, M.; Guerard, E.; Gutierrez, T. D.; Han, K.; Hansen, E. V.; Heeger, K. M.; Helis, D. L.; Huang, H. Z.; Huang, R. G.; Ianni, A.; Imbert, L.; Johnston, J.; Juillard, A.; Karapetrov, G.; Keppel, G.; Khalife, H.; Kobychev, V. V.; Kolomensky, Yu. G.; Konovalov, S. I.; Liu, Y.; Loaiza, P.; Ma, L.; Madhukuttan, M.; Mancarella, F.; Mariam, R.; Marini, L.; Marnieros, S.; Martinez, M.; Maruyama, R. H.; Mauri, B.; Mayer, D.; Mei, Y.; Milana, S.; Misiak, D.; Napolitano, T.; Nastasi, M.; Navick, X. -F.; Nikkel, J.; Nipoti, R.; Nisi, S.; Nones, C.; Norman, E. B.; Novosad, V.; Nutini, I.; O'Donnell, T.; Olivier, G.; Olivieri, E.; Oriol, C.; Ouellet, J. L.; Pagan, S.; Pagliarone, C.; Pagnanini, L.; Pari, P.; Pattavina, L.; Paul, B.; Pavan, M.; Peng, H.; Pessina, G.; Pettinacci, V.; Pira, C.; Pirro, S.; Poda, D. V.; Polakovic, T.; Polischuk, O. G.; Pozzi, S.; Previtali, E.; Puiu, A.; Ressa, A.; Reynet, D.; Rizzoli, R.; Rosenfeld, C.; Sanglard, V.; Scarpaci, J. A.; Schmidt, B.; Sharma, V.; Shlegel, V. N.; Singh, V.; Sisti, M.; Speller, D.; Surukuchi, P. T.; Taffarello, L.; Tellier, O.; Tomei, C.; Tretyak, V. I.; Tsymbaliuk, A.; Vedda, A.; Velazquez, M.; Vetter, K. J.; Wagaarachchi, S. L.; Wang, G.; Wang, L.; Welliver, B.; Wilson, J.; Wilson, K.; Winslow, L. A.; Xue, M.; Yan, L.; Yang, J.; Yefremenko, V.; Yumatov, V. I.; Zarytskyy, M. M.; Zhang, J.; Zolotarova, A. S.; Zucchelli, S. | |
| Ion implanted phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs source regions: Effect of the post implantation annealing time | 1-gen-2020 | Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike | |
| Novel technique for the study of pile-up events in cryogenic bolometers | 1-gen-2020 | Armatol, A.; Armengaud, E.; Armstrong, W.; Augier, C.; Avignone, F. T.; Azzolini, O.; Barabash, A.; Bari, G.; Barresi, A.; Baudin, D.; Bellini, F.; Benato, G.; Beretta, M.; Berg('e), L.; Biassoni, M.; Billard, J.; Boldrini, V.; Branca, A.; Brofferio, C.; Bucci, C.; Camilleri, J.; Capelli, S.; Cappelli, L.; Cardani, L.; Carniti, P.; Casali, N.; Cazes, A.; Celi, E.; Chang, C.; Chapellier, M.; Charrier, A.; Chiesa, D.; Clemenza, M.; Colantoni, I.; Collamati, F.; Copello, S.; Cremonesi, O.; Creswick, R. J.; Cruciani, A.; D(')Addabbo, A.; D(')Imperio, G.; Dafinei, I.; Danevich, F. A.; de Combarieu, M.; de Jesus, M.; de Marcillac, P.; Dell(')Oro, S.; Di Domizio, S.; Domp(\`e), V.; Drobizhev, A.; Dumoulin, L.; Fantini, G.; Faverzani, M.; Ferri, E.; Ferri, F.; Ferroni, F.; Figueroa-Feliciano, E.; Formaggio, J.; Franceschi, A.; Fu, C.; Fu, S.; Fujikawa, B. K.; Gascon, J.; Giachero, A.; Gironi, L.; Giuliani, A.; Gorla, P.; Gotti, C.; Gras, P.; Gros, M.; Gutierrez, T. D.; Han, K.; Hansen, E. V.; Heeger, K. M.; Helis, D. L.; Huang, H. Z.; Huang, R. G.; Imbert, L.; Johnston, J.; Juillard, A.; Karapetrov, G.; Keppel, G.; Khalife, H.; Kobychev, V. V.; Kolomensky, Yu. G.; Konovalov, S.; Liu, Y.; Loaiza, P.; Ma, L.; Madhukuttan, M.; Mancarella, F.; Mariam, R.; Marini, L.; Marnieros, S.; Martinez, M.; Maruyama, R. H.; Mauri, B.; Mayer, D.; Mei, Y.; Milana, S.; Misiak, D.; Napolitano, T.; Nastasi, M.; Navick, X. F.; Nikkel, J.; Nipoti, R.; Nisi, S.; Nones, C.; Norman, E. B.; Novosad, V.; Nutini, I.; O(')Donnell, T.; Olivieri, E.; Oriol, C.; Ouellet, J. L.; Pagan, S.; Pagliarone, C.; Pagnanini, L.; Pari, P.; Pattavina, L.; Paul, B.; Pavan, M.; Peng, H.; Pessina, G.; Pettinacci, V.; Pira, C.; Pirro, S.; Poda, D. V.; Polakovic, T.; Polischuk, O. G.; Pozzi, S.; Previtali, E.; Puiu, A.; Ressa, A.; Rizzoli, R.; Rosenfeld, C.; Rusconi, C.; Sanglard, V.; Scarpaci, J.; Schmidt, B.; Sharma, V.; Shlegel, V.; Singh, V.; Sisti, M.; Speller, D.; Surukuchi, P. T.; Taffarello, L.; Tellier, O.; Tomei, C.; Tretyak, V. I.; Tsymbaliuk, A.; Velazquez, M.; Vetter, K. J.; Wagaarachchi, S. L.; Wang, G.; Wang, L.; Welliver, B.; Wilson, J.; Wilson, K.; Winslow, L. A.; Xue, M.; Yan, L.; Yang, J.; Yefremenko, V.; Yumatov, V.; Zarytskyy, M. M.; Zhang, J.; Zolotarova, A.; Zucchelli, S. | |
| 1300°C annealing of 1 × 10^20 cm^-3 Al+ ion implanted 3C-SiC/Si | 1-gen-2019 | Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Zielinski, Marcin; Torregrosa, Frank; Carnera, Alberto | |
| 1300°c annealing of 1×10<sup>20</sup> al<sup>+</sup> ion implanted 3C-SiC | 1-gen-2019 | Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Bonafè, Filippo; Torregrosa, Frank; Monnoye, Sylvain; Mank, Hugues; Zielinski, Marcin | |
| Activation energy for the post implantation annealing of 10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup> and 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup> ion implanted al in 4H SiC. | 1-gen-2019 | Nipoti, Roberta; Canino, Mariaconcetta; Sapienza, Sergio; Bellettato, Michele; Sozzi, Giovanna; Alfieri, Giovanni | |
| Al<sup>+</sup> ion implanted 4H-SiC: Electrical activation versus annealing time | 1-gen-2019 | Nipoti, R.; Parisini, A. |