CNR Institutional Research Information System

Analytical prediction of the cross-over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H-SiC p+-i-n diodes

Roberta NIPOTI
2014
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2014)
Sì, ma tipo non specificato
21 - 25 September, 2014
Grenoble, France
4H-SiC
p-i-n vertrical diodes
simulation
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
DI BENEDETTO, Luigi; Domenico LICCIARDO, Gian; Bellone, Salvatore; Nipoti, Roberta
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
4
04.03 Poster in Atti di convegno
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