CNR Institutional Research Information System

Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Aluminum Doped 4H-SiC: A comprehensive sudy

R Nipoti
2011
2011
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2011)
Sì, ma tipo non specificato
September 11-16, 2011
Cleveland, Ohio, USA
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Nath, A; Scaburri, R; V Rao, Mulpuri; Nipoti, R
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
4
04.03 Poster in Atti di convegno
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