Ultra Fast High Temperature Microwave Annealing of Ion Implanted Large Bandgap Semiconductors

Nipoti R
2010

2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
645
709
712
Sì, ma tipo non specificato
silicon carbide
power electronics
semiconductor processing
5
info:eu-repo/semantics/article
262
Mulpuri, V Rao; Tian, Yl; Qadri, Sb; Freitas JA, Jr; Nipoti, R
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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