In questo rapporto verrà presentata una breve introduzione teorica sui principi di funzionamento della giunzione p-n e delle celle solari. L'attenzione verrà poi focalizzata sui parametri chiave necessari per ottimizzare l'efficienza di una generica cella solare, passando infine ad una rassegna bibliografica sulle problematiche di crescita delle celle a base di GaAs ed InGaP. L'iniziale parte teorica non ha la pretesa di essere esaustiva ed approfondita, ma solo una breve raccolta di "appunti" di rapida consultazione. Per una trattazione più approfondita si rimanda alla vasta letteratura esistente ed in particolare ad (1). La rassegna applicativa presenta una panoramica dei lavori di letteratura che riguardano la crescita di celle a semiconduttori III-V, con particolare interesse alle singole giunzioni di GaAs e InGaP. Le celle a lega ternarie, grazie alla loro elevata bandgap diretta (1.9 eV), hanno mostrato di possedere tutte le potenzialità per essere applicate in ambito terrestre su sistemi a concentrazione, in tandem con le tradizionali celle al silicio.

Celle solari: rassegna teorica e applicativa

G Attolini;M Calicchio;G Attolini;M Calicchio;C Pelosi
2005

Abstract

In questo rapporto verrà presentata una breve introduzione teorica sui principi di funzionamento della giunzione p-n e delle celle solari. L'attenzione verrà poi focalizzata sui parametri chiave necessari per ottimizzare l'efficienza di una generica cella solare, passando infine ad una rassegna bibliografica sulle problematiche di crescita delle celle a base di GaAs ed InGaP. L'iniziale parte teorica non ha la pretesa di essere esaustiva ed approfondita, ma solo una breve raccolta di "appunti" di rapida consultazione. Per una trattazione più approfondita si rimanda alla vasta letteratura esistente ed in particolare ad (1). La rassegna applicativa presenta una panoramica dei lavori di letteratura che riguardano la crescita di celle a semiconduttori III-V, con particolare interesse alle singole giunzioni di GaAs e InGaP. Le celle a lega ternarie, grazie alla loro elevata bandgap diretta (1.9 eV), hanno mostrato di possedere tutte le potenzialità per essere applicate in ambito terrestre su sistemi a concentrazione, in tandem con le tradizionali celle al silicio.
2005
Cella solare giunzione p-n GaAs InGaP
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/313568
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