High dose P+ implanted 4H-SiC: miscrowave and conventional post implantation annealing at temperatures

C Albonetti;R Nipoti
2011

2011
Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati - ISMN
1
info:eu-repo/semantics/article
262
A. Nath; M.V. Rao; A. Carnera; C. Albonetti; S.B. Qadri; Y.L. Tian; R. Nipoti
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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