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High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by tert-butylarsine in a MOVPE apparatus

G Carta;N El Habra;M Righini;G Rossetto;D Schiumarini;S Selci;P Zanella
2002

Abstract

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2002
Istituto di Chimica della Materia Condensata e di Tecnologie per l'Energia - ICMATE
MOVPE
tert-butylarsine
MQWs
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Descrizione: High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs
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