CNR Institutional Research Information System

-

High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by tert-butylarsine in a MOVPE apparatus

G Carta;N El Habra;M Righini;G Rossetto;D Schiumarini;S Selci;P Zanella
2002

Abstract

-
2002
Istituto di Chimica della Materia Condensata e di Tecnologie per l'Energia - ICMATE
Inglese
Conference IC MOVPE XI - 11th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
03-07/06/2002
MOVPE
tert-butylarsine
MQWs
10
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
restricted
274
04 Contributo in convegno::04.02 Abstract in Atti di convegno
Carta, G; D'Andrea, A; Fernandezalonso, F; Franco, A; EL HABRA, Naida; Righini, M; Rossetto, G; Schiumarini, D; Selci, S; Zanella, P
04.02 Abstract in Atti di convegno
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
prod_372072-doc_124347.pdf

solo utenti autorizzati

Descrizione: High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs
Tipologia: Versione Editoriale (PDF)
Dimensione 297.03 kB
Formato Adobe PDF
  Visualizza/Apri   Richiedi una copia
297.03 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/354150
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact