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RF power measurements of submicron Hterminated FETs on polycrystalline diamond up to 2 GHz are reported showing the potential of such substrate for the development of microwave power devices

RF power performance of submicron MESFET on hydrogen terminated polycrystalline diamond

Giovine E
2009

Abstract

RF power measurements of submicron Hterminated FETs on polycrystalline diamond up to 2 GHz are reported showing the potential of such substrate for the development of microwave power devices
2009
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Inglese
2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09
9781424460304
http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-77949417391&origin=inward
09-11/12/2009
Diamonds
Hydrogn terminated
FET
Microwaves
2-s2.0-77949417391
11
none
Rossi, M C; Calvani, P; Conte, G; Camarchia, V; Cappelluti, F; Ghione, G; Ciccognani, W; Pasciuto, B; Limiti, E; Dominijanni, D; Giovine, E
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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